去金橘偷哆啦A梦，是最近流行起来的一个梗。
一开始，是金橘的副总，在G6发布会上，为了回应媒体对金橘研发能力质疑，而开的玩笑。
后来，随着G6热销，其搭载的哪吒2.0，被人发现，依然比谷歌和openAI等竞争对手的产品，要超出一大截。
考虑到哪吒采取的是半开源模式，核心算法并未公开，一些竞争对手开始动歪脑筋，试图派商业间谍，窃取相关机密。
然而，江晟在AI项目上，砸的研发卡几乎赶得上光刻机，由此带来的结果，不仅是工作效率超高，还有研发氛围的变化。
一个间谍混进去，其他人都能察觉到，其与团队的格格不入。
于是，没过多久，这些间谍便纷纷露出马脚，被抓了起来。
然后，消息一披露，就有人联想到之前，金橘那位副总开的玩笑，玩梗这些被抓的间谍，都是去金橘偷哆啦A梦。
最无语的是，江晟在得知这个梗后，还特意花30亿软妹币，打造了一个重达10吨的纯金哆啦A梦雕像，放在研究院里。
要是让外界得知，金橘已领先水果和三桑，完成屏下摄像头的研发，估计又有人，艾特友商去金橘偷哆啦A梦了。
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除了屏下摄像头技术取得突破，还有一个好消息，是来自莲蓬技术。
继65nm氟化氩光刻机后，28nm光刻机也研制成功。
光刻机项目，是到目前为止，江晟使用研发卡和灵感卡最多的研发项目。
尤其在金橘x发布后，他一口气使用了500张十亿业绩卡，到现在已陆续兑现了300张左右。
也就是，光金橘x，就带来了3000亿销售额，利润更是高达1500亿，光是靠给员工分红获得的积分，就有150亿之多。
加上金橘G6带来的收益，以及日常薪资，他已经在一定程度上，实现了积分自由，普通道具卡几乎要多少有多少。
唯一麻烦的，就是研发卡在使用到一定数量后，实际效果会出现递减，直至无效。
想要靠几百上千张研发卡，将某个项目的研发时间，从十年缩减到一个月甚至一，绝无可能。
所以，即便在道具卡管够，资金也很充足，连供应链都全力配合的情况下，28nm光刻机依然历时一年，才宣告研制成功。
与完成65nm光刻机研发时的兴奋和激动相比，这一次臧教授表现得十分淡定：
“江总，我们这套光刻机，采用的是ArF浸没式技术，光源波长为193nm，通过在光刻过程中，引入水作为浸没介质，使光线的波长等效缩短到134nm。
再结合光学系统的优化，和多重曝光等技术，可以实现28nm及更先进制程的芯片制造。”
闻言，江晟心中一动：“最先进能做到多少nm制程？”
“7nm。”
“7nm！”
江晟心中一喜，7nm已经是目前最先进的制程。
莲心001采用的就是7nm。
至于5nm，即便是台积电，也要到明年才能实现量产。
不过，想要以28nm光刻机做到7nm制程，难度非常大。
事实上，此时中芯国际的主力机型，就是来自阿斯麦的28nm光刻机，如tINScAN Nxt:1980di等。
但到目前，中芯的制程依然停留在28nm，更先进的14nm还处于研发验证阶段，并未实现量产，更不用7nm。
想到这里，他忍不住向臧教授询问：
“如果想用它实现7nm制程，最大的难题是什么？”
臧教授眉头微皱：“虽然这套光刻机，最高能实现7nm工艺，但我建议不要这样做。”
“为什么？”
“因为要用28nm光刻机，实现7nm制程，最关键之处，在于多重曝光技术。
而多重曝光，需要将原本一层的电路，拆分成几层进行光刻，每次曝光都可能存在一定误差，曝光次数越多，累积误差就越大，最终导致良率大幅降低。
不仅如此，曝光次数越多，在每时晶圆片数不变的情况下，晶圆产出效率越低。
这意味着，不仅产能受限，设备的使用时间，和能耗、人力等成本也会上升，再叠加良率，整个成本会大幅飙升。
另外，多重曝光需要更复杂的工艺控制和配套技术，对光刻胶的性能，以及后续的刻蚀、沉积等工艺都有更高要求，只要一个环节出问题，就会影响到量产。
我觉得，用28nm光刻机，实现7nm制程，完全得不偿失，与其在这上面花工夫，还不如趁早研制出14nm甚至7nm光刻机。
反正，研制光刻机又不难，可能7nm制程还没实现，7nm光刻机先出来了。”
江晟：“……”
在经历65nm和28nm光刻机研发后，臧教授也是越来越自信了，竟然“研制光刻机又不难”。
不过话回来，任何一个人站在对方角度，只需一年就能研制出新一代光刻机，都会自信心爆棚。
江晟无言以对，只得点点头，鼓励道：
“好吧，那我等你的14nm或5nm光刻机先出来。”
“没问题。”
臧教授一脸的当仁不让，想了想又接着道：
“14nm和28nm有极大差别，28nm以上属于dUV深紫外光刻，而14nm属于EUV极紫外光。
在这一点上，我们的积累很少，包括供应商，也面临很多困难。
所以我想，既然大家都没有什么积累，那干脆换个路线，不知是否可行？”
“你想换什么路线？”
“要换，肯定换成比EUV更有潜力，在制程、效率和成本等方面更有优势的路线。”
随即，臧教授认真为江晟讲解起来。
目前，在理论上潜力超越EUV的技术路线，主要有五条。
第一条，是EUV极紫外光刻的下一代——高数值孔径EUV，而这正是阿斯麦探索的方向，直接被pASS。
第二条，是EbL电子束光刻，优势是无需复杂的光学系统，分辨率可达0.1nm以下，然适配3nm及更先进制程，如果能解决吞吐量问题，或许能跳过EUV的物理限制，直接进入原子级精度。
这条路线，目前主要有日子的富士通和东瀛电子等公司，在前面探索。
第三条，是NIL纳米压印光刻，通过物理压印模板复制电路图案，可以完全避开光学衍射限制。
而且，NIL设备成本仅为EUV的1\/5甚至1\/10，制程步骤简单，理论上可支持1nm级精度，缺点是模板寿命较低，还有大面积压印的均匀性和缺陷率存在瓶颈。
采用这条路线的，主要是铠侠、镁光等做存储芯片的公司，因为缺陷率问题，暂时还不适用于逻辑芯片，也就是cpU。
第四条，是xRL，即x射线光刻，其优势是介于EUV和电子束之间，兼具高分辨率和较高吞吐量，但掩膜材料容易被辐射损坏，而且x射线难以通过透镜折射。
第五条，是ALL原子层光刻，其原理是通过化学吸附或物理沉积，在晶圆表面逐个原子\/分子构建电路图案，精度可达单个原子尺度，即0.1nm以下。
这是光刻技术的终极形态，可以完全摆脱光学或电子束的物理限制，在理论上没有最制程瓶颈，且材料利用率接近100%。
但相应的，原子层光刻也是研发难度最大的。
目前，即使在实验室中，也只能实现单原子线等简单结构，想要实现复杂芯片的大规模组装，可能还有数十年距离。
听完介绍，江晟沉吟片刻，对臧教授道：
“你想选哪条路线？”
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